【半導体業界ニュース】2024年4月のニュースを11本厳選してご紹介！

2024年4月に半導体業界で生じたニュースを11本厳選してご紹介します。

動画で説明：半導体業界ニュース2024年4月号

2024年4月末時点の半導体関連株式市場推移

各ニュース記事：半導体業界ニュース2024年4月号

経産省、ラピダスの24年度計画と予算を承認

経済産業省は4/2、「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」における次世代半導体の研究開発プロジェクト事業でのラピダスの2024年度計画と予算を承認したと発表しました。

支援金額の上限は5365億円で主な内容は以下の3点です。

1. 北海道千歳市のパイロットラインへの設備導入
2. IBMへの技術者派遣による2nm製造技術の高度化
3. 短TAT生産システムに必要な装置、搬送システム、生産管理システムの開発

今回はこれらの前工程に加えて後工程として、先端パッケージング技術の開発に関する予算として上限535億円も承認され、合計で最大5900億円となっています。

ラピダスでは後工程の開発における位置づけを「後工程の分野は、前工程の最先端半導体開発との両輪で技術革新が求められる領域です。Rapidusは顧客提供価値として、設計支援と、前工程・後工程を一貫して行うことで短TATでの半導体製造を実現するRapid and Unified Manufacturing Service（RUMS）の構築を目指しています。」としています。

基ニュース

経済産業省：プレスリリース（4/2）

ラピダス：プレスリリース（4/2）

エプソン、ラピダスの後工程開発機能を千歳事業所に置くことを協議へ

セイコーエプソンは4/2、ラピダスの半導体後工程に関する一部の研究開発機能を千歳事業所に設置することの協議を進めていることを発表しました。

ラピダスが取り組む「2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発」のテーマに関するパイロット段階の研究開発にあたり、千歳事業所の一部スペースの貸与や施用に向けた最終的な協議を行っており、契約は5月上旬までの締結を目指す予定です。

同社では本件を通じて日本において重要な取り組みである次世代半導体の設計・製造確立に貢献したいと考えているとしています。

基ニュース

セイコーエプソン：プレスリリース（4/2）

ラピダス：プレスリリース（4/2）

TSMC、米国政府の支援を受けアリゾナに第3工場を建設へ

TSMCは4/8、米国商務省からCHIPS法に基づき最大66億ドル(約1兆円)の支援を受けることを発表しました。

TSMCは現在、米国アリゾナ州フェニックスで第1及び第2工場の建設を進めています。第1工場では4nmプロセスを導入し、2025年前半に稼働開始予定となっています。第2工場は3nmプロセスおよび次世代ナノシートトランジスタを用いた2nmプロセスを導入し、2028年に稼働開始予定です。今回新たに第3工場が発表され、第3工場では2nmまたはそれ以降の先端プロセスを使用したチップを生産するとしており、2030年までに稼働開始を目指すとしています。

基ニュース

TSMC：プレスリリース（4/8）

熊本大学、TSMCと産学協同連携協定を締結

熊本大学は4/8、本年3月にTSMCと半導体分野の研究及び人材育成における産学連携に関する協定を締結したとしてTSMCとJASMの関係者同席のもと記者説明会を行いました。

同説明会には、TSMCの技術研究ディレクターであるマーヴィン・チャン氏とJASMの副工場長である篠原氏が出席し、小川熊本大学学長および大谷理事より、協定に基づく熊本大学とTSMCおよびJASMほかTSMCの日本における子会社との共同事業の実施に向け、具体的な協議を進めていく旨の説明がされました。

熊本大学では本年4月に学部相当組織である情報融合学環を新設し、工学部には学科相当の半導体デバイス工学課程が設置されています。

基ニュース

熊本大学：プレスリリース（4/8）

信越化学、露光材料事業拡大に向けて新工場を建設へ

信越化学工業は4/9、半導体露光材料事業の拡大に向け、同事業で四番目の拠点となる工場を、群馬県伊勢崎市に建設することを決定したと発表しました。

同社では、同市内に約15万㎡の事業用地を取得し、その用地に半導体露光材料の製造及び開発拠点を建設するということで、新工場における投資は段階的に実施され、第一期の投資は2026年までの完工を目指し、約830億円を投資する見込みです。

同社では1997年にフォトレジスト事業を立ち上げ、新潟県の直江津工場で当時の最先端のKrFフォトレジストの生産を開始。その後にマスクブランクス、ArFレジスト、多層膜材料、EUVレジストなどの半導体露光材料を事業化し、2016年に第二の生産拠点を福井県に、2019年には第三の生産拠点を台湾に設けています。

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信越化学工業：プレスリリース（4/9）

ルネサス、300mmパワー半導体生産ラインとして甲府工場の稼働再開

ルネサスエレクトロニクスは4/11、EV向けの需要拡大に対応するため甲府工場の稼働を開始し、パワー半導体の生産能力を増強すると発表しました。

甲府工場は、ルネサスの100％子会社であるルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリングの傘下として、150mmおよび200mmウエハ対応の生産ラインを有していましたが、2014年10月に稼働を停止していました。

同社では2022年5月に脱炭素化社会の実現に向けて、高まるパワー半導体の需要に対応するために、甲府工場の現存する建屋を有効活用し、パワー半導体専用の300mmラインとして稼働させることを決め、900億円規模の設備投資を進めていました。

今後はIGBTを中心としたパワー半導体の量産を2025年に開始し、同社でのパワー半導体生産能力を現行の2倍に増強するとしています。

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ルネサスエレクトロニクス：プレスリリース（4/11）

サムスン電子、米国政府から64億ドルの支援が決定

サムスン電子は4/15、米国商務省からCHIPS法に基づき最大64億ドル(約9800億円)の支援を受けることを発表しました。

同社ではテキサス州テイラーとオースティンの2拠点の既存工場に投資をし、今後数年間で400億ドル以上を投資する計画です。

特にテイラー工場は、最先端の半導体製造の広大な拠点に変えるとしており、4nm及び2nmプロセス技術の最先端のロジックファウンドリ工場、次世代技術の開発と研究に特化したR&D拠点、さらには3次元高帯域幅メモリを生産する高度なパッケージング施設が含まれるとのことです。

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サムスン電子：プレスリリース（4/15）

ローム、STマイクロエレクトロニクスへのSiCウエハ供給契約を拡大

ロームは4/22、ロームグループSiCrystalからSTマイクロエレクトロニクスへの既存の複数年におよぶ150mm(6インチ)SiCウエハの長期供給契約を拡大することを発表しました。

SiCrystalは2009年にロームが買収したドイツに本社を置くSiCウエハメーカーです。

今回、拡大された契約は、ドイツのニュルンベルクで生産されるSiCウエハを複数年にわたり供給することを定めたもので、拡大期間における取引額は2.3億ドル以上になるとしています。

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ローム：プレスリリース（4/22）

SKハイニックス、先端DRAM工場に2兆2000億円を投資へ

SKハイニックスは4/24、新たなDRAM生産拠点として忠清北道清州市にM15Xファブを建設すると発表しました。

新工場は既存のM15工場に隣接しており、投資額は5兆3000億ウォン(約5800億円)で、長期的な総投資額は20兆ウォン(2兆2000億円)以上になるとのことです。

2024年4月末に着工し、2025年11月の完成予定で、AI半導体向けHBMを中心とした次世代DRAMを生産します。

台湾の市場調査会社であるトレンドフォースによりますと、SKハイニックスはHBMでトップシェアを持っています。

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SKハイニックス：プレスリリース（4/24）

信越化学、三益半導体を約680億円でTOBし完全子会社に

信越化学工業は4/25、三益半導体工業を約680億円でTOB(株式公開買付)し、完全子会社化をすると発表しました。

三益半導体工業はシリコンウエハの加工や洗浄装置などの半導体製造装置事業などを行っています。

信越化学工業は三益半導体工業の株式を43.87％所有する筆頭株主で、同社を持分法適用関連会社としています。

TOBの開始は2024年7月を目途としており、1株当たり3700円、総額680億円となる見込みです。

信越化学工業は三益半導体工業を完全子会社することで、ウエハ生産能力のより円滑な適時適所配置や人員確保及び人材相互活用などのシナジー効果が生まれるとしています。

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信越化学工業：プレスリリース（4/25）

マイクロン、米国政府から61億ドルの支援が決定

マイクロン・テクノロジーは4/25、米国商務省からCHIPS法に基づき最大61億ドル(約9400億円)の支援を受けることを発表しました。

同社ではアイダホ州とニューヨーク州での工場建設を進め、アイダホ州ボイシーの工場は2025年に稼働を開始し、2026年からDRAM生産を開始する予定です。

ニューヨーク州クレイの工場は2022年に大型工場を建設するために20年以上をかけて最大で1000億ドルを投資すると発表していたもので、4つのメガファブ計画のうち、最初の2工場を建設するものです。2025年に開始し2028年に稼働開始予定となっています。

これらの施策によって、米国の先端メモリ製造におけるシェアが現在の2%未満から 2035年までに約10%にまで拡大するとしています。

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マイクロン・テクノロジー：プレスリリース（4/25）