2025年3月に半導体業界で生じたニュースを厳選してご紹介します。
動画で説明：半導体業界ニュース2025年3月号
3月末公開予定
2025年3月末時点の半導体関連株式市場推移
3月末公開予定
各ニュース記事：半導体業界ニュース2025年3月号
TSMC、米国での先端半導体製造投資に1,000億ドル追加へ
TSMCは3/4、米国における先進半導体製造への投資をさらに1,000億ドル(約15兆円)拡大する意向を発表しました。
同社は既にアリゾナ州の工場建設に650億ドルを投資しており、投資総額は1,650億ドルとなります。これは米国史上最大の単一直接投資になるということです。
新規投資の内訳は3つの新たな半導体工場と、2つの先端パッケージング工場、研究開発拠点となっています。また今後4年間でおよそ4万人の建設関連雇用が創出され、さらに先進的なチップ製造や研究開発の分野で数万人の雇用が創出されると見込まれています。
AppleやNVIDIA、AMD、Broadcom、Qualcommなどの同社の主要顧客をサポートしていくとしています。
TSMCによる巨額の米国投資が発表されました。同社のC.C. Wei CEOがホワイトハウスでトランプ大統領と共同で公表しました。政治的な部分も色濃く感じますが、TSMCの影響力が国際政治にも大きく出ていることの証左とも言えそうですね。それにしてもすごい金額です。
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TSMC：プレスリリース（3/4）
東芝、姫路半導体工場のパワー半導体後工程新棟が竣工
東芝は3/5、姫路半導体工場において車載向けパワー半導体の後工程新製造棟の竣工式を行ったと発表しました。
新棟では、製造工程の自動搬送による省人化、RFIDタグ導入による作業性の改善や在庫管理精度向上を通したスマートファクトリー化を推進するとしています。
今後、装置搬入が進められ2025年上期から本格的な生産が開始される予定となっています。
この新棟の稼働開始によって同工場の車載向けパワー半導体の生産能力を2022年度比2倍以上に増強されます。
2022年末に公表されていました東芝の後工程新棟が完成した模様です。車載向けパワー半導体は直近停滞気味ではありますが、車両の電動化需要は将来的に回復するとみられていますので、今後に期待ですね。
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東芝：プレスリリース（3/5）
インテル、リップ・ブー・タン氏を新CEOに任命
インテルは3/12、取締役会が3/18付でリップ・ブー・タン氏を最高経営責任者(CEO)に任命したことを発表しました。
同氏は現在のマレーシア出身で、シンガポール南洋大学で物理学を学び、マサチューセッツ工科大学で原子力工学の修士号を取得、さらにサンフランシスコ大学でMBAを取得されています。
投資ファンドなどを経て、ベンチャーキャピタルを設立しており、その後、EDAメーカー大手であるケイデンス・デザイン・システムズの取締役に就任し、2009年から2021年まではCEOを務めています。
インテルの取締役も2年間務めており、2024年8月に辞任していますが、今回CEOとして取締役に復帰することとなります。
インテルの新CEOが決定しました。半導体業界で長年の経験を持つ方が就任されるということです。今後のインテルをどのように導いていくのか注目ですね。
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インテル：プレスリリース（3/12）
産総研、SiC CMOS駆動回路内蔵モジュールによるモータ駆動を実証
産業技術総合研究所は3/12、明電舎と共同でSiC CMOS駆動回路を内蔵したSiCパワーモジュールによるモーター駆動を世界で初めて実現したと発表しました。
SiCパワーデバイスはSiと比較してエネルギー損失を少なくすることができるため、EVやハイブリッド車のモータードライブ制御などの分野で応用が進められています。しかし現在の駆動方法では高速スイッチングを行うとノイズによる誤動作のリスクがあり、極めて低速なスイッチング動作でしか用いられておらず、SiCパワーデバイスの本来の性能を引き出しているとは言えない状況です。
そこで産総研と明電舎では、産総研が過去に開発しているSiC CMOS駆動回路を用いることによりノイズを低減させ、誤動作しやすい現行のパワーデバイス用ドライバーと組み合わせても、SiCパワーデバイスの高速スイッチング動作が可能なことを実証しました。
スイッチング波形として、オフ状態からオン状態へのスイッチ(ターンオン波形)と、オン状態からオフ状態へのスイッチ(ターンオフ波形)の速度は、それぞれ72 V/nsおよび85 V/nsであり、これは現行のSiCパワーモジュールのスイッチング速度と比較して約10倍高速です。これはすなわち発生するスイッチングロスをおよそ10分の1に低減できることを意味しています。
今後はモーターシステムの省エネルギー性能の実証、スイッチング動作のさらなる高速化に取り組むとしています。
SiCを使ったCMOS回路でパワーデバイスを駆動させることができる点を初めて知りました。SiCパワーデバイスの性能を最大限に引き出すためにもこの技術が普及していき、EVやハイブリッド車の航続距離が伸びていくといいですね。
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産業技術総合研究所：プレスリリース（3/12）
三菱UFJ銀行とふくおかFG、九州半導体フォーラムを共同開催
三菱UFJ銀行とふくおかフィナンシャルグループは3/17、福岡県にて九州半導体フォーラムを3/14に共同開催したと発表しました。
このフォーラムには国内半導体関連企業97社が参加しています。
フォーラムの第一部では「国内半導体産業のサステナブルな成長実現に向けて」をテーマにセミナーやパネルディスカッションを行い、第二部では立食式ネットワーキングを開催し、イベント参加企業間における情報交換や交流を深める場を提供したということです。
メガバンクと九州の金融機関による半導体関連のフォーラムが開催されたということです。金融機関においても専門の部署が設けられるなど半導体産業の競争力強化、サプライチェーン強靭化に向けた取り組みが進んでいるようです。
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三菱UFJ銀行：プレスリリース（3/17）
ふくおかフィナンシャルグループ：プレスリリース（3/17）
JX金属、東証プライム市場へ上場
JX金属は3/19、東京証券取引所プライム市場に新規上場したと発表しました。
売出価格は820円でしたが、初値は843円となっており、時価総額はおよそ7,800億円です。同社はENEOSホールディングス子会社でしたが、上場によって親子関係を解消しています。
JX金属グループ2040年長期ビジョンの中で、「装置産業型企業」から「技術立脚型企業」への転身により、激化する国際競争の中にあっても高収益体質を実現し、半導体材料・情報通信材料のグローバルリーダーとして持続可能な社会の実現に貢献することを基本方針として掲げています。
JX金属はスパッタ用ターゲットで高いシェアを持っています。今後は、半導体材料・情報通信材料事業を中心とする成長投資を優先する方針ということですので楽しみですね。
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JX金属：プレスリリース（3/19）